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武漢普賽斯儀表有限公司
初級(jí)會(huì)員 | 第3年

18140663476

  • 電化學(xué)實(shí)驗(yàn)室循環(huán)伏安測(cè)試源表

    電化學(xué)實(shí)驗(yàn)室循環(huán)伏安測(cè)試源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,國(guó)產(chǎn)自主研發(fā),廠家Z銷!性價(jià)比高,測(cè)試范圍更廣,輸出電壓高達(dá)300V,支持USB存儲(chǔ),一鍵導(dǎo)出報(bào)告,

    型號(hào): S100 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 21:16:07 對(duì)比
    電化學(xué)伏安測(cè)試儀電化學(xué)實(shí)驗(yàn)室循環(huán)測(cè)試伏安測(cè)試儀循環(huán)伏安測(cè)試儀
  • 太陽能電池板特性參數(shù)測(cè)試數(shù)字源表

    太陽能電池板特性參數(shù)測(cè)試數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,對(duì)太陽能電池進(jìn)行電流-電壓(I-V)特性分析對(duì)推導(dǎo)有關(guān)其性能的重要參數(shù)至關(guān)重要,包括Z大電流(Ima...

    型號(hào): S100/S200... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 21:14:09 對(duì)比
    電池板特性參數(shù)電池板特性測(cè)試數(shù)字源表太陽能特性參數(shù)太陽能特性測(cè)試
  • 功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可...

    型號(hào): PMST-3000... 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/1 21:11:39 對(duì)比
    靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)功率器件靜態(tài)測(cè)試功率器件靜態(tài)參數(shù)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試
  • 3000V高壓程控電源

    3000V高壓程控電源具有輸出及測(cè)量電壓高(3000V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3000V,輸出及測(cè)量...

    型號(hào): E300 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/1 21:09:51 對(duì)比
    高壓程控電源3000V高壓程控源高壓程控源3000V高壓源
  • 1000A大電流源

    1000A 10us電流源可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合,使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通電...

    型號(hào): HCPL100 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/1 21:08:01 對(duì)比
    1000A電流源1000A大電流源10us電流源
  • 1000A 10us電流源

    1000A 10us電流源具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。

    型號(hào): HCPL100 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/1 21:05:50 對(duì)比
    1000A電流源1000A大電流源10us電流源
  • 高精度大電流源表

    高精度大電流源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大脈沖電流達(dá)100A,支持四象限工...

    型號(hào): HCP100 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/1 21:03:52 對(duì)比
    大電流源表高精度源表數(shù)字源表源表廠家
  • 半導(dǎo)體材料IV掃描儀器儀表

    半導(dǎo)體材料IV掃描儀器儀表支持四象限工作,源和負(fù)載,電壓及電流范圍廣,電流100pA~1A,電壓0.3mV~300V,準(zhǔn)確度為0.1%;

    型號(hào): S100 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 21:02:07 對(duì)比
    半導(dǎo)體材料IV掃描半導(dǎo)體IV掃描儀IV掃描儀表半導(dǎo)體材料測(cè)試IV測(cè)試儀表
  • 材料電特性測(cè)試數(shù)字源表

    材料電特性測(cè)試數(shù)字源表集合電壓源、電流源、電壓表 、 電流表的功能于一身,廣泛用于各類精密器件的測(cè)量。支持四象限工作,可作為源或負(fù)載

    型號(hào): S100 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 20:59:44 對(duì)比
    源表數(shù)字源表材料電特性測(cè)試材料電特性分析電特性測(cè)試
  • 數(shù)字源表電流模塊

    數(shù)字源表電流模塊是普賽斯歷時(shí)多年打造的高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、數(shù)字觸摸的S先國(guó)產(chǎn)化的源表,集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大輸出電壓達(dá)300V,最小測(cè)試電流...

    型號(hào): S100B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 20:58:00 對(duì)比
    源表數(shù)字源表電流模塊電流源表
  • IGBT模組動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器

    IGBT模組動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器具有輸出及測(cè)量電壓高(3000V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3000V,輸出...

    型號(hào): E300 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/1 20:56:01 對(duì)比
    IGBT器件測(cè)試儀器動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀IGBT器件動(dòng)態(tài)測(cè)試
  • IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器

    IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器具有輸出及測(cè)量電壓高(3000V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3000V,輸出...

    型號(hào): E300 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/1 20:54:24 對(duì)比
    IGBT器件測(cè)試儀器靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀IGBT器件靜態(tài)測(cè)試
  • Vcsel失效性分析國(guó)產(chǎn)源表

    Vcsel失效性分析國(guó)產(chǎn)源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表CS系列插卡式源表,目前有1003CS和1010CS兩款主機(jī),分別支持3插槽和10插槽,使用10插卡主機(jī)時(shí),用戶可實(shí)現(xiàn)...

    型號(hào): 1010C 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/1 20:52:11 對(duì)比
    源表國(guó)產(chǎn)源表Vcsel失效性分析Vcsel老化測(cè)試數(shù)字源表
  • VCSEL老化測(cè)試用數(shù)字源表

    VCSEL老化測(cè)試用數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表CS系列插卡式源表,目前有1003CS和1010CS兩款主機(jī),分別支持3插槽和10插槽,使用10插卡主機(jī)時(shí),用戶可實(shí)現(xiàn)...

    型號(hào): 1010C 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/1 20:50:34 對(duì)比
    源表數(shù)字源表VCSEL老化測(cè)試老化測(cè)試源表
  • 國(guó)產(chǎn)源表IV測(cè)試三極管MOS管

    國(guó)產(chǎn)源表IV測(cè)試三極管MOS管需要幾臺(tái)源表?搭建方案示意圖?找生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表!

    型號(hào): S100/S200... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 20:48:25 對(duì)比
    源表國(guó)產(chǎn)源表三極管IV測(cè)試MOS管IV測(cè)試IV測(cè)試源表
  • 源表之三極管MOS管擊穿電壓測(cè)試

    源表之三極管MOS管擊穿電壓測(cè)試找普賽斯儀表,普賽斯數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)自主研發(fā),對(duì)標(biāo)美國(guó)2400,B2901;可實(shí)現(xiàn)“源"的輸出和“表"的測(cè)量同步進(jìn)行,提高測(cè)試效率;...

    型號(hào): S100 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 20:46:17 對(duì)比
    源表數(shù)字源表三極管擊穿電壓測(cè)試MOS管擊穿電壓測(cè)試擊穿電壓測(cè)試源表
  • 國(guó)產(chǎn)S型數(shù)字源表優(yōu)勢(shì)

    國(guó)產(chǎn)S型數(shù)字源表優(yōu)勢(shì),S型源表現(xiàn)廣泛用于半導(dǎo)體器件特性測(cè)試中,省錢省地,節(jié)約測(cè)試臺(tái)空間,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了大動(dòng)態(tài)測(cè)試范圍,集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能于一體,普...

    型號(hào): S100 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 20:43:58 對(duì)比
    源表數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)源表S型源表源表優(yōu)勢(shì)
  • 數(shù)字源表工作原理

    源表突出特點(diǎn):使用一臺(tái)儀器進(jìn)行多種測(cè)量 ;那么數(shù)字源表工作原理是怎樣的呢?是如何支持四象限工作的呢?

    型號(hào): S系列 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 20:42:19 對(duì)比
    源表數(shù)字源表源表工作原理數(shù)字源表工作原理源表原理
  • 微納器件電性能測(cè)試用數(shù)字源表

    微納器件電性能測(cè)試用數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,國(guó)產(chǎn)自主研發(fā),*!性價(jià)比高,測(cè)試范圍更廣,輸出電壓高達(dá)300V,支持USB存儲(chǔ),一鍵導(dǎo)出報(bào)告,符合大環(huán)境下國(guó)內(nèi)技術(shù)自...

    型號(hào): S100/S200... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/1 20:40:12 對(duì)比
    源表數(shù)字源表微納器件電性能測(cè)試電性能測(cè)試微納器件測(cè)試
  • 整流橋堆高電流脈沖電源

    整流橋堆高電流脈沖電源具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、...

    型號(hào): HCPL100 所在地:武漢市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/1/1 20:38:28 對(duì)比
    脈沖電源高電流脈沖電源脈沖電流源整流橋堆測(cè)試

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