【儀表網 儀表標準】近日，國家標準計劃《區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶棒的規(guī)程》編制完成并公開征求意見，時間截止到9月19日。
隨著社會經濟發(fā)展，國家對環(huán)保越來越重視，綠色發(fā)展已經成為今后社會經濟發(fā)展主流，綠色能源如太陽能發(fā)電成為今后國家能源發(fā)展的主要方向。而多晶硅作為太陽能電池板生產的主要原材料，是發(fā)展綠色能源不可或缺的原料，在電子工業(yè)中，多晶硅被視為“微電子大廈的基石”。
現行GB/T 29057-2012《用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程》標準為國內首次制定的關于區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的標準。在使用該標準時需參照其他標準，嚴重制約了國內多晶硅企業(yè)及檢測機構對多晶硅棒的評價測試，隨著檢測手段的不斷更新，標準內部分內容已不能滿足現行多晶硅產品標準的檢測需求，并且沒有有關氧濃度技術指標的測試內容。
本次通過修訂增加氧濃度技術指標的測試內容，使該標準滿足現行多晶硅產品標準的檢測要求，規(guī)范和提升國內實驗室檢測高純多晶硅的水平，這對促進我國高純多晶硅生產質量和極大規(guī)模集成電路產業(yè)以及N型高效太陽能電池發(fā)展具有重要的意義。
該文件規(guī)定了多晶硅棒取樣﹑將樣品區(qū)熔拉制成單晶以及通過光譜分析方法對拉制好的單晶硅棒進行分析以確定多晶硅中痕量雜質的程序。
該文件中適用的雜質濃度測定范圍:施主和受主雜質為(0.002~100)ppba(十億分之一原子比)，碳雜質為(0.02~15)ppma(百萬分之一原子比)，氧雜質為(0.02~15)ppma(百萬分之一原子比)。樣品中的這些雜質是通過低溫紅外光譜法或光致發(fā)光光譜法分析的。文件僅適用于評價硅芯上沉積生長的棒狀多晶硅。
該標準根據國內使用改良西門子法生產棒狀多晶硅企業(yè)的實際測試情況，結合我國半導體及太陽能光伏產業(yè)的發(fā)展現狀對原標準的技術內容進行修訂，進一步完善棒狀多晶硅質量評價的規(guī)程。
另外，該標準適用于用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒。包括多晶硅棒取樣、將樣品采用氣氛區(qū)熔工藝拉制成單晶以及通過光譜分析法對制備好的單晶硅棒進行分析，確定多晶硅棒中施主雜質濃度、受主雜質濃度及碳、氧雜質濃度，主要修訂以下內容:
1)根據GB/T 1.1調整標準結構，使其更符合使用習慣;
2)增加干擾因素內容;
3)明確規(guī)定區(qū)熔樣品的工藝參數;
4)增加氧濃度技術指標的測試內容，通過實驗確定最佳的氧濃度樣片取樣位置，對多晶硅中的氧濃度進行準確測量;
5)結合標準的實際使用情況對原標準的技術內容進行廣泛征集意見，進行適當修改。
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